真空鍍膜設備

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Planets

2)蒸鍍過程可編制工藝流程,實現手動、半自動、自動化控制

Mercury

3)蒸發源、基片臺以及掩膜機構等可根據用戶工藝需求進行深度定制; 4)可實現多源有機、無機共蒸鍍,可配多探頭監控膜生長速率; 5)可配置離子源,對基片表面進行清洗

Mercury

1)基片可自轉及公轉,膜材可旋轉、切換,實現均勻鍍膜

Mercury

蒸發鍍膜設備

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蒸發鍍膜是在真空條件下通過電阻或電子束加熱鍍膜材料,使其原子或分子從表面蒸出,沉積到基片表面從而形成薄膜的技術,該技術具有使用范圍廣、薄膜厚度高度可控、技術成熟、成本低廉等特點。目前,真空蒸鍍技術已經廣泛應用于OLED、有機光伏、光學膜、新型半導體、裝飾鍍膜等領域,為一種不可缺少的鍍膜技術。

設計參數

磁控濺射鍍膜設備

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濺射鍍膜是在真空條件下,利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子在基片上沉積的技術。濺射鍍膜具有膜層和基體的附著力強,膜層均勻性好等優點,適合各種金屬、氧化物、半導體薄膜的制備,廣泛應用于光伏、LED、微電子、硬質薄膜等領域。

設計參數

Planets

5)軟硬件系統穩定可靠,人機交互界面友好,容錯性能強,自動化水平高

Mercury

1)濺射源可選直流、中頻、射頻、脈沖直流、直流偏壓等多種配置

Mercury

2)獨到的靶磁路設計和布氣設計,靶材利用率高、濺射效率快、膜層均勻性好; 3)支持圓靶、矩形靶、單靶、多靶、孿生靶、直冷靶、間冷靶; 4)基片可水冷、可加熱、溫區均勻性好,最高可加熱至1000℃,亦可實現自轉以及公轉

Mercury
Planets

6)可選用包括準分子激光器、固體紫外激光器在內的多種光源

Mercury

5)可提供光路掃描設計

Mercury

1)可搭配激光掃描及靶旋轉系統; 2)基片可配加熱及水冷系統,最高可加熱至1000℃; 3)腔體水冷可防止真空室外殼過熱; 4)靶基距可調整

Mercury

脈沖激光沉積鍍膜設備

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脈沖激光沉積是采用高功率脈沖激光對材料進行蒸發,并在基底上形成薄膜的方法。該技術適用面非常廣,從單質、氧化物、氮化物到高分子均能沉積;并且由于該技術可精確控制化合物薄膜中各元素的相對比例,尤其適合沉積高精度的多元化合物薄膜,先廣泛用于高溫超導、鐵電、壓電、生物陶瓷、光磁記錄等薄膜的制備。

設計參數

離子束輔助沉積設備

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離子束輔助沉積是指在氣相沉積鍍膜的同時,采用低能離子束進行轟擊,從而形成單質或化合物薄膜的技術,還可通過反射式高能電子衍射儀(RHEED)進行在線結構分析。該方法制備的薄膜具有高精度、高純度、重復性和一致性好的優點,廣泛應用于光學膜、傳感器、光伏、半導體等領域。

設計參數

Planets

2)可采用低溫泵、濺射離子泵或鈦升華泵實現高真空或超高真空系統; 3)多達6路的進氣控制系統,滿足各離子源的用氣需求; 4)可優化濺射源、輔助源及靶的空間定位和裝卡設計; 5)離子源可選矩形、圓形

Mercury

1)反射式高能電子衍射儀(RHEED)系統協同設計,可實現在線薄膜質量分析

Mercury
Planets

6)軟件操作友好方便,具有一鍵抽真空、一鍵洗氣功能,同時具有互鎖功能,設備安全可靠

Mercury

1)極限真空較高,抽真空速率快,兼顧洗氣功能; 2)可測最低氧分壓為10-15 Pa; 3)可設定多組復雜升溫程序,最高升溫速率可達1000℃/h,控溫可達±0.1℃; 4)隔熱腔為多層金屬反射材料鉚接,可根據不同退火溫度選擇保溫材料,腔內保溫效果好,加熱均勻; 5)可根據客戶要求,制作旋轉工件臺、增加快速淬火功能

Mercury

真空退火設備

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真空退火爐是一種在保護氣氛控制下進行熱處理的多用爐,主要應用于各種金屬材料或非金屬材料的真空退火和去應力處理,適用于新材料開發、質量檢測及軍工、電子、醫藥、特種材料等的生產和實驗。

設計參數

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2)蒸鍍過程可編制工藝流程,實現手動、半自動、自動化控制

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3)蒸發源、基片臺以及掩膜機構等可根據用戶工藝需求進行深度定制; 4)可實現多源有機、無機共蒸鍍,可配多探頭監控膜生長速率; 5)可配置離子源,對基片表面進行清洗

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1)基片可自轉及公轉,膜材可旋轉、切換,實現均勻鍍膜

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蒸發鍍膜是在真空條件下通過電阻或電子束加熱鍍膜材料,使其原子或分子從表面蒸出,沉積到基片表面從而形成薄膜的技術,該技術具有使用范圍廣、薄膜厚度高度可控、技術成熟、成本低廉等特點。目前,真空蒸鍍技術已經廣泛應用于OLED、有機光伏、光學膜、新型半導體、裝飾鍍膜等領域,為一種不可缺少的鍍膜技術。

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5)軟硬件系統穩定可靠,人機交互界面友好,容錯性能強,自動化水平高

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1)濺射源可選直流、中頻、射頻、脈沖直流、直流偏壓等多種配置

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2)獨到的靶磁路設計和布氣設計,靶材利用率高、濺射效率快、膜層均勻性好; 3)支持圓靶、矩形靶、單靶、多靶、孿生靶、直冷靶、間冷靶; 4)基片可水冷、可加熱、溫區均勻性好,最高可加熱至1000℃,亦可實現自轉以及公轉

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設計參數

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6)可選用包括準分子激光器、固體紫外激光器在內的多種光源

Mercury

5)可提供光路掃描設計

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1)可搭配激光掃描及靶旋轉系統; 2)基片可配加熱及水冷系統,最高可加熱至1000℃; 3)腔體水冷可防止真空室外殼過熱; 4)靶基距可調整

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脈沖激光沉積是采用高功率脈沖激光對材料進行蒸發,并在基底上形成薄膜的方法。該技術適用面非常廣,從單質、氧化物、氮化物到高分子均能沉積;并且由于該技術可精確控制化合物薄膜中各元素的相對比例,尤其適合沉積高精度的多元化合物薄膜,先廣泛用于高溫超導、鐵電、壓電、生物陶瓷、光磁記錄等薄膜的制備。

設計參數

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2)可采用低溫泵、濺射離子泵或鈦升華泵實現高真空或超高真空系統; 3)多達6路的進氣控制系統,滿足各離子源的用氣需求; 4)可優化濺射源、輔助源及靶的空間定位和裝卡設計; 5)離子源可選矩形、圓形

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離子束輔助沉積設備

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設計參數

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6)軟件操作友好方便,具有一鍵抽真空、一鍵洗氣功能,同時具有互鎖功能,設備安全可靠

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1)極限真空較高,抽真空速率快,兼顧洗氣功能; 2)可測最低氧分壓為10-15 Pa; 3)可設定多組復雜升溫程序,最高升溫速率可達1000℃/h,控溫可達±0.1℃; 4)隔熱腔為多層金屬反射材料鉚接,可根據不同退火溫度選擇保溫材料,腔內保溫效果好,加熱均勻; 5)可根據客戶要求,制作旋轉工件臺、增加快速淬火功能

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真空退火設備

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真空退火爐是一種在保護氣氛控制下進行熱處理的多用爐,主要應用于各種金屬材料或非金屬材料的真空退火和去應力處理,適用于新材料開發、質量檢測及軍工、電子、醫藥、特種材料等的生產和實驗。

設計參數

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